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DFN8pin芯片测试座参数:
本体尺寸:1.6*1.6mm
中心引脚间距:0.0.4mm
Socket壳体:PEI
测试座结构:翻盖式
接触PIN针:双头镀金探针
最大电流:1A
使用温度:-45°C-+125°C
老化寿命:大于3000小时
销售工程师:黄小二13622364332,huang@hydz999.com
| 适用规格 | 适用于DFN封装晶圆、芯片、器件等 |
| 支持频率 | ≤500Mhz |
| 温度范围 | -45℃-125℃ |
| 操作力压 |
35g每pin,PIN越多需要压力越大 |
| 额定电流 |
单PIN1A |
| 接触电阻 | ≤100毫欧 |
| 绝缘电阻 | DC500V1000兆欧以上 |
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QFN/DFN封装翻盖结构测试座 支持EEPROM,驱动器IC,电源IC等QFN封装,芯片测试座009系列.有翻盖式、旋钮翻盖式、双扣式、分离式结构、下压开窗结构适合自动机台 |
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DFN8老化测试插座
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