QFN32-0.5芯片测试翻盖弹片老化座

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QFN32-0.5芯片测试翻盖弹片老化座

材料&特性：
socket本体：PEI
弹片材料：铍铜
弹片镀层：镍金
操作压力：0.5KG min ，PIN越多压力越大
绝缘阻抗：1,000MΩ，500VDC
最大电流：2A
使用温度：-55℃~175℃@3000小时
机械寿命：15000次

订购热线：13631538587

产品详情规格参数

特点：
座子外壳采用特殊的工程塑胶，强度高、寿命长
弹片采用进口铍铜材料，阻抗小、弹性号、寿命长
镀金层加厚，触点加厚电镀，接触稳定超低接触阻抗、抗氧化程度高
适用于间距为：0.35、0.4、0.5、0.65的标准封装芯片

材料&特性：
socket本体：PEI
弹片材料：铍铜
弹片镀层:镍金
操作压力：0.5KG min ，PIN越多压力越大
绝缘阻抗：1,000MΩ500VDC
最大电流：2A
使用温度：-55℃~175℃@3000小时
机械寿命：15000次

工厂介绍

鸿怡电子生产QFN32-0.5芯片测试翻盖弹片老化座，同时还生产其他种类齐全的芯片封装测试座/老化座/烧录座/测试夹具/BGA/EMMC/EMCP/QFP/QFN/SOP/SOT/DDR/FPC/connector/IMU socket等。

QFN芯片老化座

QFN32pin老化测试座

QFN封装芯片老化座

老化座芯片测试座老化座老化座

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芯片引脚间距:0.5mm
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接触介质:探针
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芯片引脚间距：0.4mm
适配芯片尺寸：2.633*3.184mm
接触介质：探针
测试座结构：翻盖式
测试座材料：PEI+PEEK