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1、CP是把坏的Die挑出来,可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。
2、FT是把坏的chip挑出来;检验封装的良率。
现在对于一般的wafer工艺,很多公司多把CP给省了;减少成本。CP对整片Wafer的每个Die来测试,而FT则对封装好的Chip来测试。CP Pass 才会去封装。然后FT,确保封装后也Pass。
3、WAT是Wafer Acceptance Test,对专门的测试图形(test key)的测试,通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定;
CP是wafer level的chip probing,是整个wafer工艺,包括backgrinding和backmetal(if need),对一些基本器件参数的测试,如vt(阈值电压),Rdson(导通电阻),BVdss(源漏击穿电压),Igss(栅源漏电流),Idss(漏源漏电流)等,一般测试机台的电压和功率不会很高;
FT是packaged chip level的Final Test,主要是对于这个(CP passed)IC或Device芯片应用方面的测试,有些甚至是待机测试;Pass FP还不够,还需要做process qual 和product qual。
CP 测试对Memory来说还有一个非常重要的作用,那就是通过MRA计算出chip level 的Repair address,通过Laser Repair将CP测试中的Repairable die 修补回来,这样保证了yield和reliability两方面的提升。
CP是对wafer进行测试,检查fab厂制造的工艺水平FT是对package进行测试,检查封装厂制造的工艺水平对于测试项来说,有些测试项在CP时会进行测试,在FT时就不用再次进行测试了,节省了FT测试时间;
但是有些测试项必须在FT时才进行测试(不同的设计公司会有不同的要求)一般来说,CP测试的项目比较多,比较全;
FT测的项目比较少,但都是关键项目,条件严格。但也有很多公司只做FT不做CP(如果FT和封装yield高的话,CP就失去意义了)。在测试方面,CP比较难的是探针卡的制作,并行测试的干扰问题。FT相对来说简单一点。
还有一点,memory测试的CP会更难,因为要做redundancy analysis,写程序很麻烦。CP在整个制程中算是半成品测试,目的有2个,1个是监控前道工艺良率,另一个是降低后道成本(避免封装过多的坏芯片),其能够测试的项比FT要少些。
CP不是制造(FAB)测的!而CP的项目是从属于FT的(也就是说CP测的只会比FT少),项目完全一样的;不同的是卡的SPEC而已;因为封装都会导致参数漂移,所以CP测试SPEC收的要比FT更紧以确保最终成品FT良率。
还有相当多的DH把wafer做成几个系列通用的die,在CP是通过trimming来定向确定做成其系列中的某一款,这是解决相似电路节省光刻版的最佳方案;所以除非你公司的wafer封装成device是唯一的,且WAT良率在99%左右,才会盲封的。
据我所知盲封的DH很少很少,风险实在太大,不容易受控。
WAT:wafer level 的管芯或结构测试
CP:wafer level 的电路测试含功能
FT:device level 的电路测试含功能
CP=chip probing
FT=Final Test
CP 一般是在测试晶圆,封装之前看,封装后都要FT的。不过bump wafer是在装上锡球,probing后就没有FT
FT是在封装之后,也叫“终测”。意思是说测试完这道就直接卖去做application。
CP用prober,probe card。FT是handler,socket
CP比较常见的是room temperature=25度,FT可能一般就是75或90度
CP没有QA buy-off(质量认证、验收),FT有CP两方面
1. 监控工艺,所以呢,觉得probe实际属于FAB范畴
2. 控制成本。Financial fate。我们知道FT封装和测试成本是芯片成本中比较大的一部分,所以把次品在probe中reject掉或者修复,最有利于控制成本。