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鸿怡电子芯片测试工程师:QFN芯片测试座的特点、参数、结构,QFN芯片测试座选配

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浏览:- 发布日期:2023-12-18 10:53:59【

QFN/DFN封装翻盖/下压结构测试座支持EEPROM,驱动器IC,电源IC

QFN测试座图纸

鸿怡电子QFN芯片测试座工程师介绍:QFN芯片测试座、老化座、烧录座—009系列,下压开窗结构,适用自动化测试机台

QFN芯片下压测试座

 

QFN芯片测试座特点与参数:

1Socket壳体:PEI

2、弹片材料:铍铜

3、弹片镀层:镍金

4、操作压力:2.0KGmin,与pin数成正比

5、接触阻抗:50mΩmax

6、耐压测试:700V AC for lminute

7、绝缘阻抗:1000mΩ500V DC

8、最大电流:1A

9、使用温度:-40°C-+155°C

10、机械寿命:10000(机械测试)

 

QFN封装系列芯片测试座0.35mm间距:

QFN测试座规格参数

QFN封装系列芯片测试座:0.4mm间距:

QFN测试座规格参数-1

QFN测试座规格参数-1-1

QFN测试座规格参数-4

QFN封装系列芯片测试座:0.5mm间距:

QFN测试座规格参数-2

QFN测试座规格参数-3

QFN封装系列芯片烧录座:

QFN芯片烧录座

 

QFN系列芯片老化测试座:(鸿怡QFN芯片测试座工程师提供资料)

适用规格:16~88pin,0.40.5引脚间距QFNIC

支持频率:≤300Mhz

温度范围:-40℃~155℃

操作力压:35gpinPIN越多需要压力越大

额定电流:PIN1A

接触电阻:≤100毫欧

绝缘电阻:DC500V1000兆欧以上

QFN老化测试座

 

PCB转接板烧录座:

QFN芯片测试座带PCB转接板

 

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