QFN/DFN封装翻盖/下压结构测试座支持EEPROM，驱动器IC，电源IC等

鸿怡电子QFN芯片测试座工程师介绍：QFN芯片测试座、老化座、烧录座—009系列，下压开窗结构，适用自动化测试机台

QFN芯片测试座特点与参数：

1、Socket壳体:PEI

2、弹片材料:铍铜

3、弹片镀层:镍金

4、操作压力:2.0KGmin，与pin数成正比

5、接触阻抗:50mΩmax

6、耐压测试:700V AC for lminute

7、绝缘阻抗:1000mΩ500V DC

8、最大电流:1A

9、使用温度:-40°C-+155°C

10、机械寿命:10000次(机械测试)

QFN封装系列芯片测试座0.35mm间距：

QFN封装系列芯片测试座：0.4mm间距：

QFN封装系列芯片测试座：0.5mm间距：

QFN封装系列芯片烧录座：

QFN系列芯片老化测试座：（鸿怡QFN芯片测试座工程师提供资料）

适用规格:16~88pin,0.4、0.5引脚间距QFN封IC

支持频率:≤300Mhz

温度范围:-40℃~155℃

操作力压:35g每pin，PIN越多需要压力越大

额定电流:单PIN1A

接触电阻:≤100毫欧

绝缘电阻:DC500V1000兆欧以上

带PCB转接板烧录座：