市场现状及应用领域

目前，国际电力电子市场以年均15%的速度增长，电力电子器件的主要供应商集中在美国、日本以及欧洲，如通用电器、东芝、英飞凌等。而且以硅基功率MOSFET和IGBT为代表的场控型器件占据国际市场的主导地位，其中IGBT更是有高达30%的年均增长率。而SiC和GaN等新型材料电力电子器件，受到时间、技术成熟度和成本的制约，尚处于市场开拓初期。

我国的电力电子器件市场在全球市场中占据的份额逐年增长，年增长率接近20%，已成为全球最大的功率电力电子器件需求市场。电力电子器件在当今主要的应用领域包括电力系统、消费电子、计算机、网络通信、工业控制、汽车电子等。其中前三个领域为电力电子器件的重要应用领域，占据着最大的市场份额。

功率器件主要应用产品市场

(中国功率器件行业产销需求与投资战略规划分析报告，摘自前瞻产业研究院)

新材料应用

传统的电力电子器件一般都是以硅（Si）半导体材料制成的。近年来，出现了很多以砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、磷化铟（InP）及锗化硅（SiGe）等性能优良的新型化合物半导体材料为基础制成的电力电子器件。

①砷化镓（GaAs）：继硅之后最成熟的半导体材料。具有很好的耐高温特性，有利于模块小型化，从而减小寄生电容提高开关频率。

②碳化硅（SiC）：目前发展最典型的宽禁带半导体之一，被人称为第三代半导体，可制作出性能更加优异的高温、高频、高功率、高速度、抗辐射器件。

③磷化铟（InP）：继Si与GaAs后的新一代功能材料，具有高耐压、更高的热导率、高场下更高的电子迁移速度。可作为高速、高频微波器件的材料。

④锗化硅（SiGe）：一种高频半导体材料，既有Si工艺的集成度和成本优势，又有GaAs和InP速度方面的优点。

⑤氮化镓（GaN）：第三代半导体材料，具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，是现在世界上人们最感兴趣的半导体材料之一。

现代电力电子器件发展趋势

现代电力电子器件仍在往大功率、易驱动和高频化方向发展，模块化是向高功率密度发展的重要一步。当前电力电子器件的主要发展趋势如下：

①IGBT（绝缘栅双极晶体管）：N沟道增强型场控复合器件，兼具MOSFET和双极性器件的优点。

②MCT（MOS控制晶闸管）：新型MOS与双极复合型器件，采用集成电路工艺，在普通晶闸管结构中制作大量MOS器件，通过MOS器件的通断来控制晶闸管的通断。

③IGCT（集成门极板换流晶闸管）：用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。

④IEGT（电子注入增强栅晶体管）：耐压达4KV以上的IGBT系列电力电子器件，通过采取增强注入的结构实现了低通态电压，使大容量电力电子器件取得飞跃性发展。

⑤IPEM（集成电力电子模块）：将电力电子装置的诸多器件集成在一起的模块，实现了电力电子技术的智能化和模块化。

⑥PEBB（电力电子模块）：在IPEM基础上发展起来的可处理电能集成的器件或模块。

结合上述对半导体功率器件的讲解，根据鸿怡电子针对功率器件测试座socket制作经验，功率器件测试座包括：MOSFET、IGBT、GaN HEMT、智能功率开关、LDO、DC/DC转换器、二极管、晶闸管、栅极驱动IC、AC/DC转换器、继电器、IPM等，这些功率器件都是需要做对应的性能测试和老化测试的，其测试要求严格以及芯片封装形式多样（除主流的TO/SOT等封装以外）供大家参考，欢迎大家一起探讨：

1、DFN8x8大电流测试座

封装规格参数：DFN8封装，间距0.95mm，尺寸8*8mm

测试支持：过最高800V/30A功率多脉冲测试；测试环境温度-45~155℃；

产品特色：按照芯片实际功能需求设计，允许大电流高电压高频开关脉冲测试，同时兼顾了高压大电流的绝缘设计，保证测试过程中用户的安全。

适用途：DFN8x8 MOSFET IC 功能测试主要应对高压大电流

2、SMD4 16DUT in 1 翻盖测试座

封装规格参数：SMD4封装，间距4.6mm/2.8mm，尺寸5.9*3.9mm

测试支持：测试环境温度-45~155℃；相对湿度RH 85%，测试时长1000小时

产品特点：适用于手动快速大批量测试，单测试座同时测试16个芯片，单位DUT测试成本下降，规模效应明显

适用途：常规SMD功率芯片的正常测试，HAST/HTOL等老化测试、可靠性测试，自动化设备匹配使用，手工测试亦可。

3、Power-Transistor 翻盖老化测试座

封装规格参数：HDSOP16，间距1.2mm，尺寸9.9*15mm

测试支持：测试环境温度-45~155℃；相对湿度RH 85%，测试时长1000小时

产品特点：适用于手动快速大批量测试，顶部开窗便于安装外部的热敏探头以及散热组件，同时外围避空以及绝缘设计，保证测试芯片安全性。

适用途：特殊封装芯片采用定制，HAST/HTOL等老化测试、可靠性测试，手工测试亦。

4、SOT23-3翻盖老化测试座 Small Signal Transistor老化座

封装规格参数：SOT23封装，间距0.95mm，本体尺寸1.3~1.4mm，尺寸：2.8*3mm，外观标准：SC-59

老化测试支持：测试环境温度-45~155℃；相对湿度RH 85%，测试时长1000小时，单Pin过流：1A

产品特点：适用于手动快速大批量测试，开模产品，成本优势大，交期也更快

适用途：AST/HTOL等老化测试、可靠性测试

5、SO8翻盖功能测试座 Power MOSFET function test socket

封装规格参数：SO8封装，间距1.27mm，本体尺寸3.9mm，尺寸：4.9*6mm

老化测试支持：测试环境温度-55~155℃；相对湿度RH 85%，测试时长1000小时，单Pin过流：1A

产品特点：适用于功能性测试，S极 3pin/ D极 4pin/ G极 1pin，按照芯片的实际测试要求定制，符合整体测试环境以及测试要求；

适用途：IC功能性测试

6、 HEMT DFN5*6高压大电流测试座

封装规格参数：DFN封装，5*6mm，0.65mm间距，主要pinmap：Drain，Source，Gate

老化测试支持：测试环境温度-40~125℃，测试时长1000小时，过流一进一出800V/10A的功能性测试。

产品特点：适用于芯片基础性能调试与HEMT老化测试

适用途：N通道HMET功率芯片老化测试，GaN芯片老化测试，IGBT芯片老化测试等功率器件芯片测试要求；

产品亮点：耐大电流，1个芯片单通道10A以上，800V高压的脉冲测试，探针过流能力强，探针过流内阻低；在功能老化测试的同时保证发热不会很大，同时测试座外壳铝合金结构，阳极氧化绝缘，兼顾了绝缘与散热。