一、BGA(Ball Grid Array Package)，是采用将圆型或者柱状焊点隐藏在封装体下面一种封装形式，90年代后随着集成技术的进步，BGA技术迅速得到发展，现在高密度、高性能、高频率的IC芯片都已经采用这类型的封装技术。

BGA芯片注意问题

1、BGA芯片的扇出过孔是朝外对称结构，BGA上下左右分成四个独立的区域，过孔扇出的格局呈现四个独立的扇形区域，从中间进行分割分别往四边。这样扇出的好处，可以扇出的好处是可以预留十字通道，方便进行内层和GND的通道平面分割和内层布线。

2、BGA芯片上下左右四个面中，若两个焊盘中间走一条布线，靠外侧的2排焊盘不用进行扇出操作，直接在表层通过拉线往外走，这样可以节省电气层。若两个焊盘中间走两条布线，靠外侧的3排焊盘不用进行扇出操作，直接在表层通过拉线往外走，这样可以节省电气层。当所有的引线走出BGA区域之后，引出布线可以散开走线，加大线和线之间的距离，以便于减少高速信号直接的串扰。

3、BGA芯片一般电源和GND网络焊盘引脚都位于BGA中间部分，电源和GND的网络都是通过内层平面进行连接，这些引脚扇出要注意方向，通常来说都是整体往一个方向进行扇出，这样扇出的引脚都集中在一个区域，方便进行内层区域分割。频率越高的芯片，一般高电平的电压都较低，都需要较大的电流，使用电层给该类型芯片提供供电，若条件允许，电源和GND平面要足够的大，这样才能保证在大电流的时候，直流压降最小。摆放过孔要注意错开密集的布线通道，避免因较多的过孔阻塞布线通道，造成无法出线，另外也要考虑密度的过孔阻塞切断电源和GND平面。

二、BGA封装主要有以下几类：

1. FBGA即Fine-Pitch BGA（细间距BGA），BGA锡球针脚密度更大，体积更小，容量更大，散热更好，更适合于内存与显存颗粒的封装。

2、MBGA则是FBGA技术在外观上的一种体现，即Micro BGA（微型BGA），跟FBGA实际上是一样的，只不过称呼的侧=重点不同，MBGA侧重于对外观的直接描述，FBGA侧重与对针脚的排列形式。

3、PBGA封装(PlasticBall Grid Array Package塑料焊球阵列封装)，它采用BT树脂／玻璃层压板作为基板，以塑料环氧模=塑混合物作为密封材料，焊球为共晶焊料63Sn37Pb或准共晶焊料62Sn36Pb2Ag目前已有部分制造商使用无铅焊料，焊球=和封装体的连接不需要另外使用焊料。有一些PBGA封装为腔体结构，分为腔体朝上和腔体朝下两种。这种带腔体的PBGA是为了增强其散热性能，称之为热增强型BGA，简称EBGA，有的也称之为CPBGA腔体塑料焊球阵列。

4、UFBGA或UBGA：Ultra Fine Ball Grid Array，极精细BGA封装。

三、BGA芯片测试座socket

根据鸿怡电子IC测试座工程师提供BGA封装芯片测试座socket案例（仅供参考）

1、处理器BGA576pin芯片功能老化测试座socket

被测芯片介绍：芯片为嵌入式处理器，核心频率600Mhz，内置24Mb内存，尺寸BGA576-1.0-25*25mm，开放JTAG的测试通道，提供高性能DSP应用。

该款测试座主要的用途在于对该BGA576的DSP芯片进行功能测试的同时，进行老化测试，从符合实际应用状态出发，考研该芯片在极端环境下的加速老化试验。该测试除了600Mh的频率要求，还需要注意老化温度-45℃~125℃的要花测试要求，需要做好对应的匹配；

2、赛灵思Aritx-7系列FBGA238pin芯片测试座socket

该款芯片的尺寸10*10mm，同时性能优秀，串行速率211Gb/s，内存通道是1066Mb/s,适配DDR3内存即可，I/O电压也是1.2V~3.3V，适配多种功能。

测试座的制作首先需要考虑物理结构，前面所说的是尺寸：10*10mm,其间距为0.5mm，球阵列为未全满的19*19阵列，这种小间距，大阵列的芯片，需要使用合金旋钮的测试座来平衡探针带来的反作用力，目前探针作用力是20~30gf,其力是相互的，一旦阵列多了之后，总作用力就会很大，238pin即4780~7140gf,这么大的力度作用到芯片上为了保证受力均匀从而保证接触正常，就需要旋钮的均衡推进力来保证了。

3、BGA316pin芯片手自一体测试座socket

需求分析：FPGA芯片的核心速率和始终频率分别在10Gbps和5GHz，主要是调试时候会使用到这个性能，而且使用次数不多，主要的还是在调试之后的量产使用，目前的ATE量产参数的是机械手操作，对产品的结构以及受力有很高的要求，因为pin数越多，对测试压力就有更高的要求；芯片功耗不高，不需要单独设计散热要求；