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功半导体率器件测试座socket案例
功半导体率器件测试座socket案例
来源:鸿怡电子
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发布日期:2023-07-20 11:03:00【
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品名:DFN8x8大电流测试座
封装尺寸:DFN8封装,间距0.95mm,尺寸8*8mm
测试支持:过最高800V/30A功率多脉冲测试;测试环境温度-45~155℃;
产品特色:按照芯片实际功能需求设计,允许大电流高电压高频开关脉冲测试,同时兼顾了高压大电流的绝缘设计,保证测试过程中用户的安全。
产品用途:DFN8x8 MOSFET IC 功能测试主要应对高压大电流
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