封装尺寸：DFN8封装，间距0.95mm，尺寸8*8mm
测试支持：过最高800V/30A功率多脉冲测试；测试环境温度-45~155℃；
产品特色：按照芯片实际功能需求设计，允许大电流高电压高频开关脉冲测试，同时兼顾了高压大电流的绝缘设计，保证测试过程中用户的安全。
产品用途：DFN8x8 MOSFET IC 功能测试主要应对高压大电流
“鸿”业之愿于精密检测“怡”心一意只为IC服务
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功半导体率器件测试座socket案例
2023-07-20 11:03:00
品名：DFN8x8大电流测试座
封装尺寸：DFN8封装，间距0.95mm，尺寸8*8mm
测试支持：过最高800V/30A功率多脉冲测试；测试环境温度-45~155℃；
产品特色：按照芯片实际功能需求设计，允许大电流高电压高频开关脉冲测试，同时兼顾了高压大电流的绝缘设计，保证测试过程中用户的安全。
封装尺寸：DFN8封装，间距0.95mm，尺寸8*8mm
测试支持：过最高800V/30A功率多脉冲测试；测试环境温度-45~155℃；
产品特色：按照芯片实际功能需求设计，允许大电流高电压高频开关脉冲测试，同时兼顾了高压大电流的绝缘设计，保证测试过程中用户的安全。
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