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: 定制存储芯片BGA96pin测试座

BGA96pin-0.8存储芯片测试座产品特点:体积小:整体尺寸最小可做到10MM*10MM*6.0MM可做高频率测试:最高频率可达-1~-3dB@30GHz定位精准度高:加工工艺可达-+0.01MM寿命长:寿命可达10万次(探针机械寿命可达15-20万)稳定性高:采用合金材料,耐磨损20-30万次，耐高低温-45~+125。可维护性高:采用模块化设计,全配件可单独更换。可标准化:产品设计周期短,交货速度快。

: 定制存储芯片BGA54pin测试座

BGA54pin-0.8存储芯片测试座产品特点:体积小:整体尺寸最小可做到10MM*10MM*6.0MM可做高频率测试:最高频率可达-1~-3dB@30GHz定位精准度高:加工工艺可达-+0.01MM寿命长:寿命可达10万次(探针机械寿命可达15-20万)稳定性高:采用合金材料,耐磨损20-30万次，耐高低温-45~+125。可维护性高:采用模块化设计,全配件可单独更换。可标准化:产品设计周期短,交货速度快。

: 定制UFS153(87pin)-0.5mm芯片测试座

UFS153pin存储芯片测试座参数：实际下针87pin绝缘阻抗:1000mΩMin.AtDC500V耐电压:For1MinuteAtAC700V接触阻抗:100mΩMAX。at10mAand20mVMAX.(Initial)额定电流:1Amax/Pin.工作温度:-55°C~+125°C最高测试速率:6Ghz(仅UFS高速测试)，HS400/HS200操作力:15~30g/PinMAX

: 定制EMMC153存储芯片测试座

EMMC153存储芯片测试座参数:中心引脚间距:0.5mm适配芯片尺寸:11.5*13.5mm绝缘阻抗:1000mΩMin.AtDC500V耐电压:For1MinuteAtAC700V接触阻抗:100mΩMAX。at10mAand20mVMAX.(Initial)额定电流:1Amax/Pin.工作温度:-55°C~+175°C最高测试速率:6Ghz(仅UFS高速测试)，HS400/HS200操作力:15~30g/PinMAX

: EMMC56pin-0.5mm-11.5×13mm合金下压式双面弹存储芯片测试座

EMMC56pin芯片测试座参数：绝缘阻抗:1000mΩMin.AtDC500V耐电压:For1MinuteAtAC700V接触阻抗:100mΩMAX。at10mAand20mVMAX.(Initial)额定电流:1Amax/Pin.工作温度:-55°C~+175°C最高测试速率:6Ghz(仅UFS高速测试)，HS400/HS200操作力:15~30g/PinMAX

: 鸿怡电子存储芯片测试座socket：Open Bond实效性分析与BHAST老化测试

OpenBond的两种典型失效形态——BondLift（键合剥离）与WireBreak（键合丝断裂）——各有其独特的失效机理与判定方法。而间歇性开路的存在，使得OpenBond失效成为芯片测试中最具隐蔽性的难题之一。通过“更换测试座复测→多颗同料同引脚比对→开封后SEM观察→XRay/CSAM辅助”的系统性排查流程，测试工程师可以准确区分芯片内部OpenBond与Socket接触不良，避免误判带来的成本浪费。BHAST老化测试作为JESD22A110标准规定的核心可靠性验证项目，通过130℃/85%RH带偏压的严苛条件，在极短时间内加速评估存储芯片在潮湿环境中的长期可靠性，是eMMC、UFS等BGA153封装存储芯片从研发到量产不可或缺的验证环节。

: 内存颗粒DRAM、SRAM、NAND、DIMM、LOGIC-DDR存储芯片测试座解决方案

DDR存储芯片类型包含DRAM（动态随机存取存储器）、SRAM（静态随机存取存储器）、NAND闪存、DIMM（双列直插内存模块）、LOGIC芯片（内存控制器/PHY）等类型。

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