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: EMMC56pin-0.5mm-11.5×13mm合金下压式双面弹存储芯片测试座

EMMC56芯片测试座参数：绝缘阻抗:1000mΩMin.AtDC500V耐电压:For1MinuteAtAC700V接触阻抗:100mΩMAX。at10mAand20mVMAX.(Initial)额定电流:1Amax/Pin.工作温度:-55°C~+175°C最高测试速率:6Ghz(仅UFS高速测试)，HS400/HS200操作力:15~30g/PinMAX

: 内存颗粒DRAM、SRAM、NAND、DIMM、LOGIC-DDR存储芯片测试座解决方案

DDR存储芯片类型包含DRAM（动态随机存取存储器）、SRAM（静态随机存取存储器）、NAND闪存、DIMM（双列直插内存模块）、LOGIC芯片（内存控制器/PHY）等类型。

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