- [新闻中心]功半导体率器件测试座socket案例2023年07月20日 11:03
- 品名：DFN8x8大电流测试座封装尺寸：DFN8封装，间距0.95mm，尺寸8*8mm测试支持：过最高800V/30A功率多脉冲测试；测试环境温度-45~155℃；产品特色：按照芯片实际功能需求设计，允许大电流高电压高频开关脉冲测试，同时兼顾了高压大电流的绝缘设计，保证测试过程中用户的安全。 产品用途：DFN8x8 MOSFET IC 功能测试主要应对高压大电流
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- [新闻中心]1分钟带您了解半导体功率器件市场现状及测试座socket应用领域2023年05月24日 17:28
- 市场现状及应用领域 目前，国际电力电子市场以年均15%的速度增长，电力电子器件的主要供应商集中在美国、日本以及欧洲，如通用电器、东芝、英飞凌等。而且以硅基功率MOSFET和IGBT为代表的场控型器件占据国际市场的主导地位，其中IGBT更是有高达30%的年均增长率。而SiC和GaN等新型材料电力电子器件，受到时间、技术成熟度和成本的制约，尚处于市场开拓初期。 我国的电力电子器件市场在全球市场中占据的份额逐年增长，年增长率接近20%，已成为全球最大的功率电力电子器件需求市场。
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- [新闻中心]鸿怡电子带您了解半导体功率器件之全控型器件测试与测试座socket2023年05月22日 16:11
- 半导体功率器件之全控型器件 根据鸿怡电子制作半导体功率器件测试座socket的相关经验来讲，主要分为以下几点： 一).功率晶体管(GTR,巨型晶体管)、双极结型晶体管(BJT) 1、功率晶体管(Giant Transistor--GTR,巨型晶体管)、双极结型晶体管(BipolarJunction Transistor--BJT)，这两类三极管在半导体功率器件是等效的，在20世纪80年代，在中、小功率范围内取代了晶闸管，但随着MOSFET、IGBT的发展，逐渐被替代。
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- [新闻中心]半导体功率器件之绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及对应的IGBT测试座socket2023年05月19日 16:40
- 根据鸿怡电子多年针对半导体功率器件IGBT测试座socket的经验，总结出此类客户的测试条件要求以及相关的物理知识（仅供参考），欢迎大家一起讨论..... 1、MOSFET具有开关速度快，电压控制的优点，缺点是导通电压降稍大，电流、电压容量不大；双极型晶体管却与它的优点、缺点互异。因而产生了使它们复合的思想；控制时有MOSFET管的特点，导通时具有双极型晶体管特点，这就产生IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）管研制的动机，该管称为绝
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