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TO252-3PIN-2.286mm-6.8x7.1mm合金翻盖测试座
TO252-3L功率器件测试座规格参数:
品牌:HMILU
封装形式:TO252
器件引脚:3pin
引脚间距:2.286mm
适配尺寸:6.8*7.1mm
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AEC-Q系列车规级功率器件TO247封装3pin老化测试座
车规级功率器件老化座规格参数:
适配IC封装:TO247
pin脚数:3pin
引脚中心距:5.44mm
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传感器芯片14pin-1.26_11.37×6.377翻盖合金探针测试座
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EMCP254-H2-11.5×13转USB测试座
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定制QFN32-0.47 8×8合金翻盖探针测试座
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定制 QFN28-0.45(4×4)翻盖 探针 顶针 烧录夹具 编程转换座 测试座
测试座(夹具)特点:
①测试座设计成翻盖结构,使用测试简单方便,压合平稳接触稳定。
②测试座外壳采用阳极硬氧铝合金材质,表层绝缘耐磨、抗氧化强使用年限长。
③测试座使用进口双头探针接触方式...
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定制 QFN20 合金顶窗烧录座 老化测试夹具 适用于自动化设备
测试座(夹具)特点:
①下压(按压式)结构,适配于自动化设备气缸、机械手使用,大大提高烧录测试效率。
②测试座外壳采用阳极硬氧铝合金材质,表层绝缘耐磨、抗氧化强使用年限长。
③测试座使用进...
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定制 QFN4 DFN4 SMD-4 开模探针翻盖老化座 顶针老化夹具 高低温htol测试
测试座(夹具)特点:
①翻盖式结构,使用测试简单方便,压合平稳接触稳定。
②外壳采用开模方式,单价低,交期快。
③采用进口双头探针接触方式,相比同类测试产品使IC与PCB之间数据传输距离更短,从...
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定制 QFN16 翻盖合金探针 烧录编程装换座 读写夹具 测试座
①结构:翻盖式;
②外壳材质:铝合金;
③接触方式及材质:双头探针,铍铜镀金;
④核心部件材质:peek陶瓷;
⑤额定电流:1A;
⑥操作压力:30g、PIN越多压力越大;
⑦接触电阻:<...
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PDFN/TOLL/TO等封装的大电流大功率半导体器件MOS场效应管老化测试座测试夹具工装老化插座socket
老化座特点: ①该老化座采用PEI耐高温塑胶材料注塑成型,适用于长时间高温高湿(85%HR,175℃)环境下老化(htol/hast)且交期短; ②采用按压式结构,适用于自动化设备大批量放取MOS场效应管器件,大大提高测试效...
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定制DFN12-0.4_2.4×1.5翻盖测试座
更多 +
DFN8-0.5(2.5×2.5mm)合金翻盖测试座
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电源IC测试架
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定制QFN48pin-0.35 5×5上下翻盖探针测试座
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新能源汽车车规芯片DFN封装MOS场效应管\大功率管 测试座_PDFN芯片老化座
该QFN产品系列主要应用于新能源汽车车规芯片高低温老化、性能测试使用
适用于PDFN、DFN、TO等封装大电流大功率芯片、MOS管
常见的芯片有电源转换芯片老化测试、动力分配传感器芯片老化测试、电源管理芯片老...
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[新闻中心]鸿怡HMILU:芯片快速验证与测试:芯片测试座-芯片老练夹具-芯片烧录座厂家
2025年07月02日 11:05
在芯片技术飞速发展的当下,IC / 芯片的封装形式日益多样化,从传统的 DIP、SOP,到先进的 BGA、QFN 等,不同封装对测试验证工具提出了更高要求。鸿怡电子作为专业的 IC / 芯片测试座工厂,深耕行业多年,凭借强大的技术实力和丰富的生产经验,推出的芯片测试座、芯片老练夹具、芯片烧录座,能够精准适配多种封装的 IC / 芯片,为芯片的快速验证与测试提供可靠保障。 芯片测试座:精准测试的基石 芯片测试座是芯片与测试设备之间的关键连接桥梁,其性能直接影响测试结果的准确性
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[新闻中心]汽车电子OBU 芯片:介绍其定义、组成、测试与鸿怡芯片测试座的应用
2025年06月23日 10:33
(一)OBU 的定义与作用 OBU 即 On Board Unit 的缩写,中文名为车载单元,是车辆用于为各种应用传输和收集数据的微波设备 。在智能交通领域,尤其是不停车电子收费系统(ETC)中,OBU 发挥着核心作用。它通常安装于汽车的前挡风玻璃上,存有车辆的识别信息。当车辆通过收费站时,OBU 与路侧单元(RSU,Road Side Unit)通过专用短程微波通信(DSRC,Dedicated Short Range Communication)进行通讯 。RSU 识别到
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[新闻中心]鸿怡电子国产车载通信测试方案:车规级CAN SIC芯片测试技术解析
2025年04月23日 11:31
随着智能网联汽车的快速发展,车辆内部电子控制单元(ECU)数量激增,动力总成、高级驾驶辅助系统(ADAS)、车身控制等功能对车载通信网络的稳定性与速率提出了更高要求。传统CAN FD总线在复杂拓扑中面临信号振铃、通信速率受限(实际速率通常低于2Mbps)等问题,而车规级CAN SIC(Signal Improvement Capability)芯片通过信号改善功能,成为突破通信瓶颈的关键技术。本文结合国产CAN SIC芯片的封装设计、芯片测试座方案与标准,探讨其在车载通信中的
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[新闻中心]鸿怡电子带您分析L3级智能驾驶技术:如何用IC/芯片测试座帮您验证汽车有条件自动化驾驶安全
2025年02月27日 14:51
L3级自动驾驶对车规芯片的核心要求 L3级自动驾驶(有条件自动化)要求芯片在复杂场景中实现实时决策与控制,其车规级芯片需满足: 1.功能安全:符合ASIL-D标准(ISO 26262),单点故障率<10 FIT; 2.超高算力:AI算力30 TOPS(如英伟达Orin芯片),支持多传感器融合; 3.低时延响应:端到端处理延迟50ms(紧急制动场景); 4.环境适应性:工作温度-40℃~125℃,抗振动50Grms(MIL-STD-810G)。 典型应用场景: 高速
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[新闻中心]鸿怡电子IC测试座推进芯片国产化替代:功率半导体HTGB老化测试解决方案
2024年12月04日 15:00
在功率半导体领域,如MOSFET、IGBT及二极管,HTGB(高温栅极偏置)测试被广泛应用,用以评估其在极端条件下的长期可靠性和性能稳定性。HTGB测试尤其关注在高温环境和偏压电压条件下器件的表现,从而对其在实际应用中的寿命和稳定性做出判断。 理解HTGB测试的目的十分重要。甄别器件在高温和正负栅极偏压条件下的可靠性,是每一个生产优质功率半导体产品的重要步骤。HTGB测试不仅能揭示潜在的结构缺陷,还能通过长时间的模拟,确保产品在要求苛刻的电气条件下依然能稳定工作。这对于确保
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