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IC封装测试工艺流程(二)

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浏览:- 发布日期:2018-11-28 14:45:04【

IC Package  (Ic的封装形式)

.QFN –Quad Flat No-Lead Package 四方无引脚扁平封装

.SOIC—Small Qutine IC  小外形IC封装

.TSSOP—Thin Small Shrink Qutline Package 薄小外形封装

.QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装

.BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装

.CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸级封装

 


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IC封装原材料

1、   晶圆(Wafer

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2、   引线框架(Lead Frame

提供电路连接和DIE的固定作用;

主要材料为铜,会在上面进行镀银、NIPDAU等材料;

L/F的制程有EtchStamp两种;

易氧化,存放于氮气柜中,湿度小于40%RH

除了BGACSP外,其它Package都会采用Lead Frame,BGA采用的是Substrate;


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3、   焊接金线(Gold Wire)焊接金线

实现芯片和外部引线框架的电性和物理连接;

金线采用的是99.99%的高纯度金;

同时,出于成本考虑,目前采用铜线和铝线工艺的,优点是成本降低,同时工艺难度加大,良率降低;

线径决定可传导的电流,0.8mil, 1.0mil 1.3mils1.5mils2.0mils


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4、   塑封料/环氧树脂(Mold Compound

主要成分为:环氧树脂及各种添加剂(固化剂,改性剂,脱模剂,染色剂,阻燃剂等);

主要功能为:在熔融状态下将DieLead Frame包裹起来,提供物理和电气保护,防止外界干扰;

存放条件:零下5℃保存,常温下需回温24小时;


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               5、   银浆(Epoxy

成分为环氧树脂填充金属粉末(Ag;

有三个作用:将Die固定在Die Pad上,散热作用,导电作用;

-505℃以下存放,使用之前回温24小时。

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