- [新闻中心]功半导体率器件测试座socket案例2023年07月20日 11:03
- 品名:DFN8x8大电流测试座封装尺寸:DFN8封装,间距0.95mm,尺寸8*8mm测试支持:过最高800V/30A功率多脉冲测试;测试环境温度-45~155℃;产品特色:按照芯片实际功能需求设计,允许大电流高电压高频开关脉冲测试,同时兼顾了高压大电流的绝缘设计,保证测试过程中用户的安全。 产品用途:DFN8x8 MOSFET IC 功能测试主要应对高压大电流
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- [新闻中心]鸿怡电子带您了解半导体功率器件之全控型器件测试与测试座socket2023年05月22日 16:11
- 半导体功率器件之全控型器件 根据鸿怡电子制作半导体功率器件测试座socket的相关经验来讲,主要分为以下几点: 一).功率晶体管(GTR,巨型晶体管)、双极结型晶体管(BJT) 1、功率晶体管(Giant Transistor--GTR,巨型晶体管)、双极结型晶体管(BipolarJunction Transistor--BJT),这两类三极管在半导体功率器件是等效的,在20世纪80年代,在中、小功率范围内取代了晶闸管,但随着MOSFET、IGBT的发展,逐渐被替代。
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