定制 QFN64 射频芯片测试座加接地铜块散热测试夹具老化座 socket

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定制 QFN64 射频芯片测试座加接地铜块散热测试夹具老化座 socket

性能参数：
工作频率：8GHZ@1DB；
工作温度：-55℃~155℃；
单PIN电流：1A；
功率：3W；
接触阻抗：≤100mΩ

订购热线：13631538587

产品详情

性能参数：
工作频率：8GHZ@1DB；
工作温度：-55℃~155℃；
单PIN电流：1A；
功率：3W；

接触阻抗：≤100mΩ

产品特点：
采用金属铜块散热的形式加快芯片散热；
采用翻盖式旋钮结构，压力均匀，不移位下压平稳接触稳定；
探针的爪头形突起能刺破焊接球的氧化层，接触可靠；
高精度的定位槽，保IC定位精确；
采用浮板结构有球无球均能测试；
测试探针可更换，维修方便，成本低；
采用KEEP+陶瓷工程绝缘材料制作；
最小可做到跳距pitch=0.35mm(引脚中心到中心的距离）；

QFN64测试座

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①结构：旋钮翻盖式；
②外壳材质：铝合金；
③接触方式及材质：双头探针，铍铜镀金；
④核心部件材质：peek陶瓷；
⑤额定电流：≤1.5A；
⑥操作压力：30g、PIN越多压力越大；
⑦接触电阻：＜100mΩ；
⑧环境温度：-55℃~175℃≤85%rh；
⑨机械寿命：理论大约为100000；

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②外壳材质：铝合金；
③接触方式及材质：双头探针，铍铜镀金；
④核心部件材质：peek陶瓷；
⑤额定电流：1A；
⑥操作压力：30g、PIN越多压力越大；
⑦接触电阻：＜100mΩ；
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封装形式:DFN芯片/功率器件
引脚:8pin
引脚中心间距:2.0mm
适配尺寸:8*8*0.85mm
接触介质:探针
测试座结构:下压式
测试座材料:合金+PEEK