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SK海力士1Ynm DDR4芯片完成:8Gb容量,功耗降低15%

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浏览:- 发布日期:2018-11-20 18:08:51【


11月12日,SK海力士宣布已开发出基于1Ynm工艺的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。该芯片支持高达3200Mbps或3200MHz,并声称可提供最佳性能和容量密度。在技术指标方面,与1Xnm相比,1Ynm芯片的生产率提高了20%,功耗降低了15%。

SK海力士还表示,新的1Ynm芯片还显着提高了传感器的精度,调整了晶体管结构,并降低了数据传输的错误率。

据该官方称,1Ynm DDR4 DRAM芯片将于明年第一季度发货,将首先用于服务器和PC产品,最后用于手机和其他领域。

科普:

在存储器芯片从20 + nm进入10 + nm工艺之后,制造商对该工艺的描述不再使用特定数字。在20nm之后,它是1xnm工艺,然后是1nm工艺和1znm工艺。至于XYZ的具体含义,由于每个公司的流程不尽相同,因此没有详细说明。

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