目前在“十四五”规划等国家政策的推动下，半导体集成电路领域正在快速成长，其中，第三代半导体器件凭借较大的禁带宽度、高导热率、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、优良的物理和化学稳定性等特点，备受企业和资本市场的热捧。

据了解，国内不少封测企业已开始启动并组建功率器件实验室及功率器件产线的工作，开始大力布局“三代半封测”领域。

 TO-220/TO247系列的产品已经进入了试产阶段，并且在样品阶段完成了AEC-Q101车规级标准的摸底测试验证工作。TO-247-3L的性能达到1200V、40A、80mΩ，TO-220-3L达到1200V、13A、160mΩ。

目前，在第三代半导体领域已经形成了3大产品系列，包括：SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模块。

SiC功率器件：具有小而轻便，反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高，拥有优越的性能与极高的工作效率。拥有4种封装结构（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）；可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域。

GaN-DFN器件：具有更高的临界电场、出色导通电阻、更低的电容等优势，使其尤适用于功率半导体器件，降低节能和系统总成本的同时，工作频率更高，具有极高的功率密度和系统效率，可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率，广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等。

功率模块：第三代半导体功率模块，采用自主创新的架构及双面高效散热设计，具有优越的电性能和热性能，杂散电感低、转换效率高、轻载损耗小等优势，其功率密度大，产品体型小，可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域，满足系统开发人员对空间的严格要求。模块产品可根据特殊功能需求进行模块化定制开发。

顺应半导体局势变化，针对第三代半导体的老化测试方案，鸿怡电子相关TO系列高温老化产品已全线上市。

1、TO系列高温老化socket

该产品相较目前市场上的低端价格产品具有诸多优势，其中可配合自动化设备，解放企业用工难的问题，再者，可耐温高达200度，并且产品触点为镀金探针，可更换，老化座和老化板以螺丝的方形固定，避免了因为座子损坏而报废老化板的风险 。同时该系列的老化座产品可过更大电流，更大功率,满足企业各项严苛的试验环境。

2、老化板插槽

配套老化板作连接,产品为分标准的2.54mm和3.175mm间距。广泛用于军工类产品的老化测试。具有耐高温，连接性能可靠等诸多优势。