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[新闻中心]鸿怡电子3位IC测试座工程师带您了解功率器件IGBT MOSFET与SiC MOSFET测试2025年04月21日 10:41: IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）与SiC（碳化硅）MOSFET作为功率半导体领域的核心器件，在新能源汽车、工业变频器、光伏逆变器等场景中发挥着关键作用。然而，其性能与可靠性高度依赖于严格的测试验证。本文结合测试方法、行业标准及国产测试设备（如鸿怡电子功率器件IC测试座、老化座、烧录座）的核心技术，系统解析这三类器件的测试逻辑与应用实践。一、器件特性与应用场景对比 1.IGBT 定义：结合MOSFET的高输入阻抗与双极型晶体管; 阅读（11）标签：产品|新闻|定制测试座|定制测试治具|定制IC测试架