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搜索：鸿怡电子大电流功率器件:sic替代igbt测试解决方案与功率器件测试座的应用
- [新闻中心]鸿怡电子大电流功率器件:SiC替代IGBT测试解决方案与功率器件测试座的应用2025年06月10日 10:52
- 一、SiC功率器件的核心测试挑战 200℃），在新能源汽车、光伏逆变、工业电源等领域逐步替代硅基IGBT" target="_blank">碳化硅（SiC）功率器件凭借高耐压（1200V~10kV）、高频特性及高温稳定性（200℃），在新能源汽车、光伏逆变、工业电源等领域逐步替代硅基IGBT。但其测试面临三大核心挑战： 1. 大电流与高压测试：单芯片电流超250A（如1200V/7mΩ SiC MOSFET），需支持6000A脉冲电流和10kV高压。 2. 动态特性精准
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标签：定制测试座|定制测试治具|定制IC测试架|产品|新闻
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