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: TO252-3PIN-2.286mm-6.8x7.1mm合金翻盖测试座

TO252-3L功率器件测试座规格参数：
品牌：HMILU
封装形式：TO252
器件引脚：3pin
引脚间距：2.286mm
适配尺寸：6.8*7.1mm
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: TOLL9pin-1.2mm-9.9X11.68mm合金旋钮翻盖测试座

TOLL9pin功率器件测试座规格参数：
品牌：HMILU
封装形式：TOLL
器件引脚：9pin
引脚间距：1.2mm
适配器件尺寸：9.9mm
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: TO247-3L老化插座老化夹具高温老炼socket治具 MOSFET功率被动器件老化

产品简介：
特点：采用摇杆所锁紧设计方式，相对传统的拔插式可以降低器件的摩擦损伤。
特性：温度-45-175℃，电流80A，频率无要求，接触阻抗小于30毫欧，耐压1000V DC。
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: PDFN/TOLL/TO等封装的大电流大功率半导体器件MOS场效应管老化测试座测试夹具工装老化插座socket

老化座特点： ①该老化座采用PEI耐高温塑胶材料注塑成型，适用于长时间高温高湿（85%HR，175℃）环境下老化（htol/hast）且交期短； ②采用按压式结构，适用于自动化设备大批量放取MOS场效应管器件，大大提高测试效...
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[鸿怡动态]CMOS芯片常见的LGA、PGA、BGA封装芯片鸿怡电子测试座socket！2022年11月07日 12:04: 早在2015年，我国明确将红外探测器列为国产化的重点对象，并出台了一系列相关政策支持。经过多年的发展，我国在探测器领域实现了具有材料的关键技术的自主可控性，MEMS传感器芯片，CMOS读取电路、制冷机、杜瓦封装、整机制备的全产业链生产能力。以及配套的测试相关设备目前已相当成熟，特别是对于目前的CMOS封装相关的如LGA封装芯片测试座、PGA封装芯片测试座、BGA封装芯片测试座socket 新兴领域封装：传感器、执行器、微机电系统、纳米机电系统、微光机电系统封装技术；光电封装; 阅读（144）标签：产品|新闻|定制测试座|定制IC测试架|定制测试治具|BGA老化测试座|MOS场效应管老化测试|WLCSP|CSOP陶瓷封装

[新闻中心]PDFN/TOLL/TO等封装的大功率半导体器件MOS场效应管如何进行老化测试2022年03月17日 10:18: 功率器件及第三代半导体是当前的半导体产业技术追逐的热点，也是国内半导体产业中最有希望能够赶超世界先进技术的领域之一。现在众多国产功率半导体厂商已经在材料、设计、制造、封测等各个环节成功突围，逐渐形成自主可控的完整产业链。但是在产业最上游的高端封装设备领域，却仍以国外企业为主导，为加速推动功率半导体高端封装，制造设备国产化进程已经刻不容缓。伴随着功率半导体时代到来，Clip Bond封装工艺在此可以说是大有作为，相对数字集成电路而言，功率半导体并不是单纯追求线宽的缩小，且生; 阅读（97）标签：PDFN封装测试座|TOLL封装测试座|MOS场效应管老化测试|产品

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