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搜索：鸿怡电子半导体功率器件测试座的角色
- [新闻中心]第三代半导体:SiC和GaN测试与应用,鸿怡电子半导体功率器件测试座的角色2025年03月18日 14:32
- 随着新能源汽车、5G基站、数据中心等领域的快速发展，第三代半导体材料碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）凭借其优异的物理特性，正在逐步取代传统硅基功率器件。本文将从SiC/GaN模块的性能优势、测试挑战、核心测试项及方法等方面展开分析，并结合行业案例探讨IC/芯片测试座socket技术的创新方向。 一、SiC和GaN在大功率电源中的性能优势 与传统的硅基IGBT功率模块相比，SiC和GaN功率模块在以下方面展现显著优势： 1. 更高功率密度 SiC的禁带宽度（3.3 eV
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标签：定制测试座|定制测试治具|定制IC测试架|产品|新闻
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