DFT设计是芯片设计过程中很重要的一个环节，其目的是为Wafer Level test提供高效快速的测试方法。Wafer Level test要测哪些内容呢，下面逐一展开描述。

Function Test（功能测试）

芯片在生产制造过程中会引入各种故障，通常会引起功能的失效。这些失效包括Stuck-at Fault，Open Fault，Bridge Fault等。

                                                                                     Stuck-At & Open

Bridge

这些故障通常可以基于芯片设计时插入的Scan Chain，用ATPG（对于memory用mbist方法，对于Flash按照vendor的测试方法设计bist）产生测试Pattern进行筛选测试，从而剔除有功能故障的芯片。

Delay Test（延迟测试）

除了功能故障之外，先进工艺的芯片还会有时序故障。Delay test的目的是剔除有Timing related defect 的芯片（即时序不满足要求的芯片）。基于Scan-at-speed的策略使用Launch from capture 和Lanuch from shift的方法来实现at-speed测试。在设计层面需要在Scan模式下利用on-chip PLL提供at-speed模式需要的高速工作时钟。

Parameter Test（参数测试）

除了基于功能和时序的测试，还需要进行基于电流、电压的测试来筛选掉一些“顽固”的芯片。通过IDDQ测试，剔除静态电流不符合规范的芯片，通过Very Low Voltage test可以更容易发现时序不满足的芯片，通过Stress test（高压高温）加速芯片的寿命更容易剔除gate oxide 失效。

以上是芯片Wafer Level测试常用的测试方法，这篇算是抛砖引玉，后续针对DFT我们会推出更多的实用文章，请大家持续关注鸿怡电子官方网站----此篇内容转载！！

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