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慧荣SM2262EN SSD主控支持96层3D NAND

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浏览:- 发布日期:2018-11-08 14:49:31【

伴随着大数据以及云时代的来临,人们对于各种数据的应用需求也日渐增高,无处不在的智能设备与无处不在的海量数据存储持续上升。前不久在深圳举办的 “闪存市场峰会〞上,慧荣科技展示出全系列PCIe NVMe SSD控制芯片解决方案。

其中,有专为企业及数据中心应用所设计的SM2270双模控制芯片方案,提供高性能、大容量、高可靠性和低延迟设计,并支持Open-Channel的应用,同时也可搭载Turnkey固件以支持标准NVMe协议;此外,还展出针对消费级SSD所设计的高效能低功耗PCIe SSD 控制芯片: SM2262EN / SM2263EN / SM2263XT。

SM2270适用于企业和数据中心存储PCIe SSD的解决方案

SM2270控制芯片为数据中心存储提供了完整的解决方案,慧荣该控制芯片支持目前各原厂主流的64层/72层3D QLC和TLC NAND,支持PCIe Gen3 x8通道NVMe 1.3规范和16个闪存通道设计,完整的数据保护及纠错机制,高达16TB的SSD容量,客制的固件设计,满足了数据中心应用的需求。SM2270控制芯片最大的特点就是其完整的架构,在单个主控芯片中内置了三个Arm Cortex-R5双核处理器,确保SSD能够低延迟、高性能的运行。顺序读取最高可达3.2GB/s,顺序写入最高可达2.8GB/s,随机读取高达 800K IOPS,随机写入高达 200K IOPS。

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SM2270控制芯片支持慧荣专属的第6代NANDXtend™技术,将纠错功能和机器学习算法进行了整合,可以提高整个SSD的寿命周期和数据可靠性,使得数据保存更加稳定持久,即使在高温环境下也不受影响,此外,SM2270支持断电保护功能,可防止因意外断电导致数据丢失的风险。

SM2262EN:适用于超高速PCIe SSD的解决方案

SM2262EN超高速SSD控制芯片解决方案,在此次峰会上,慧荣分别展示了搭载美光96层3D NAND和东芝64层3D TLC的样品,紧跟原厂3D技术工艺的发展。SM2262EN支持PCIe Gen3 x4通道NVMe 1.3规范和8个闪存通道设计。以最新独有的固件技术,有效提升读写效能,最大顺序读取速度高达3.5GB/s,顺序写入速度达3.0GB/s,随机读写则高达420K IOPS和420K IOPS。更采用目前最先进的低功耗设计,无论是在待机还是在工作状态下,均展现超低功耗,有效减少30%的功耗,满足专业用户追求超高效能和低功耗的严苛要求。

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SM2263EN/SM2263XT:适用于主流PCIe SSD的解决方案

SM2263EN和SM2263XT支持PCIe Gen3 x4通道NVMe 1.3规范和4个NAND通道设计,并提供完整固件设计,满足主流市场的需求。SM2263XT是一款DRAM-Less SSD控制芯片,支持主机内存缓冲(HMB)架构,有效运用主机的DRAM,可提升读写速度,并可封装成适用于平板电脑的小尺寸BGA SSD(11.5mm x 13mm);SM2263XT最大顺序读取速度达2.4GB/s,最大顺序写入速度达1.7GB/s,符合消费级SSD的性价比需求,成为主流巿场新标配。

全系列PCIe SSD控制芯片支持主流及最新3D闪存以及慧荣独有专利的NANDXtend™技术,包括端到端资料路径保护,提供最完整及最稳定的资料保护,满足存储设备所需的高效稳定的需求,并将纠错功能和机器学习算法进行了整合,可以提高整个SSD的寿命周期和数据可靠性,使得数据保存更加稳定持久。
   

深圳市鸿怡电子有限公司是一家生产定制SSD系列flash芯片、主控芯片测试座测试治具为主的创新型企业。可为固态生产厂家提供慧荣的SM2258H、SM2246EN、2256K等固态硬盘的开卡量产方案板以及配套的flash芯片测试座。 


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