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5G时代来临,UFS3.0和LPDDR5将面临怎样的挑站?

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浏览:- 发布日期:2018-12-17 18:21:46【

5G时代来临,存储技术以及其相关产业链如存储芯片的测试,LPDDR测试治具UFS芯片测试治具等等,都将面临新的挑站。

日前,第三届高通骁龙技术峰会上,高通宣布新一代旗舰处理器骁龙855正式亮相,联发科也正式宣布推出首款5G基带芯片MTK Helio M70,引爆5G手机市场商机。市场预计,2019年三星、华为、OPPO、VIVO、小米、中兴、谷歌等手机制造商5G手机将会陆续上市,给全球低迷的智能型手机市场需求带来成长动能。

相对于LPDDR4,全新的LPDDR5传输速度最高可达到6400Mbps,这是LPDDR4的两倍。LPDDR5引入了全新的WCK时钟的双差分时钟系统,差分时钟能提高频率。LPDDR5支持ECC功能,这样就能允许从传输错误或者存储电荷丢失中恢复数据。LPDDR5降低功耗,这也是对移动设备更好的支持。

三星已在2018年7月份推出业界首款10nm级8Gb LPDDR5,并完成8GB LPDDR5(八颗8Gb LPDDR5封装)功能测试和验证,将在韩国平泽工厂量产,开始向LPDDR5标准过渡。

此外,SK海力士也宣布成功开发1ynm 16Gb DDR5,支持5200Mbps的数据传输速率,比DDR4 3200Mbps快约60%,功耗降低30%,每秒可处理41.6GB数据,将在2020年大规模量产。与DDR4相比,DDR5具有超高速、高密度、低功耗等优势,适用于大数据、人工智能和机器学习等数据密集型应用。

2018年3月JEDEC公布了UFS 3.0标准,全新UFS 3.0引入MIPI M-PHY v4.1物理层规范和MIPI UniProSM v1.8传输层规范,单通道理论带宽提升到11.6Gbps,传输速度是UFS 2.1的2倍,双通道最高达23.2Gbps。UFS 3.0还可通过多通道继续提升传输带宽,在双通道和四通道配置下带宽分别可达到23.2Gbps和46.4Gbps。

此外,UFS 3.0使用2.5V VCC电压降低功耗,支持最新NAND Flash技术;温度范围也从-25至85度扩展为- 40度至105度,若在手机上实现商用,便可避免在极高、低温环境下,手机停止工作的情况;同时还符合车载汽车、监控、工业等领域对宽温的高要求。


随着处理器性能的不断提升,存储性能在手机上的重要性逐渐凸显,三星、东芝、西部数据、SK海力士、美光等均加快布局下一代存储技术UFS3.0和LPDDR5,并成为下一代高端旗舰智能机的亮点。


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