5G时代来临，存储技术以及其相关产业链如存储芯片的测试,LPDDR测试治具，UFS芯片测试治具等等，都将面临新的挑站。

日前，第三届高通骁龙技术峰会上，高通宣布新一代旗舰处理器骁龙855正式亮相，联发科也正式宣布推出首款5G基带芯片MTK Helio M70，引爆5G手机市场商机。市场预计，2019年三星、华为、OPPO、VIVO、小米、中兴、谷歌等手机制造商5G手机将会陆续上市，给全球低迷的智能型手机市场需求带来成长动能。

相对于LPDDR4，全新的LPDDR5传输速度最高可达到6400Mbps，这是LPDDR4的两倍。LPDDR5引入了全新的WCK时钟的双差分时钟系统，差分时钟能提高频率。LPDDR5支持ECC功能，这样就能允许从传输错误或者存储电荷丢失中恢复数据。LPDDR5降低功耗，这也是对移动设备更好的支持。

三星已在2018年7月份推出业界首款10nm级8Gb LPDDR5，并完成8GB LPDDR5（八颗8Gb LPDDR5封装）功能测试和验证，将在韩国平泽工厂量产，开始向LPDDR5标准过渡。

此外，SK海力士也宣布成功开发1ynm 16Gb DDR5，支持5200Mbps的数据传输速率，比DDR4 3200Mbps快约60%，功耗降低30%，每秒可处理41.6GB数据，将在2020年大规模量产。与DDR4相比，DDR5具有超高速、高密度、低功耗等优势，适用于大数据、人工智能和机器学习等数据密集型应用。

2018年3月JEDEC公布了UFS 3.0标准，全新UFS 3.0引入MIPI M-PHY v4.1物理层规范和MIPI UniProSM v1.8传输层规范，单通道理论带宽提升到11.6Gbps，传输速度是UFS 2.1的2倍，双通道最高达23.2Gbps。UFS 3.0还可通过多通道继续提升传输带宽，在双通道和四通道配置下带宽分别可达到23.2Gbps和46.4Gbps。

此外，UFS 3.0使用2.5V VCC电压降低功耗，支持最新NAND Flash技术；温度范围也从-25至85度扩展为- 40度至105度，若在手机上实现商用，便可避免在极高、低温环境下，手机停止工作的情况；同时还符合车载汽车、监控、工业等领域对宽温的高要求。

随着处理器性能的不断提升，存储性能在手机上的重要性逐渐凸显，三星、东芝、西部数据、SK海力士、美光等均加快布局下一代存储技术UFS3.0和LPDDR5，并成为下一代高端旗舰智能机的亮点。